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  • 【期刊】 厌氧环境雌黄溶解产物形态的XAS研究

    刊名:环境科学 作者:王莹 ; 许丽英 ; 王少锋 ; 肖翻 ; 贾永锋 关键词:雌黄 ; ; X射线吸收光谱(XAS) ; 厌氧溶解 ; 产物 机构:中国科学院沈阳应用生态研究所污染生态与环境工程重点实验室 ; 中国科学院沈阳应用生态研究所污染生态与环境工程重点实验室 年份:2015
    摘要:雌黄是砷的环境地球化学过程中的重要的次生矿物.雌黄的溶解性研究对于研究砷在水环境中的形态转化和环境归趋具有重要意义.环境中p H和硫化程度对于雌黄中的砷的形态变化及其稳定性有重要影响.通过室内模拟实验,结合同步辐射X射线近边吸收光谱(XANES)和扩展X射线吸收光谱(EXAFS)表征手段研究了近中性厌氧条件下,有硫和无硫体系中雌黄溶解产物中稳定存在的砷形态.结果表明,在p H中性条件下,雌黄在两种体系中均形成硫代砷和亚砷酸盐的混合物,有硫体系中硫代砷是以全硫代为主,而无硫体系中硫代亚砷酸盐是部分硫代为主.线性拟合分析确定在有硫体系中硫代亚砷酸盐形态占总砷形态的88.2%,亚砷酸盐形态占总砷形态的11.8%,而在无硫体系中,硫代三价砷形态占总砷形态的43.7%,亚砷酸盐形态占总砷形态的56.3%.可见亚砷酸盐的形成与砷硫比有关,提高硫砷比可以提高亚砷酸盐中硫取代的比例以及全硫代亚砷酸盐的形成.
  • 【期刊】 浅施主杂质在对称GaAs/AlxGa1—xAs双量子阱中的束缚能

    刊名:北京工业大学学报 作者:刘建军 ; 张红 关键词:双量子阱 ; 浅施主杂质 ; 束缚能 机构:河北师范大学物理科学与信息工程学院 ; 河北师范大学物理科学与信息工程学院 年份:2007
    摘要:为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下.采用变分方法计算厂对称GaAs/AlxGa1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好.体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值.
  • 【期刊】 GaAs/AlxGa1—xAs超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

    刊名:首都师范大学学报:自然科学版 作者:李文兵 ; 赵国忠 ; 王福合 关键词:Kroning—Penney模型 ; 扩展态 ; 电子有级结构 机构:首都师范大学物理系 ; 首都师范大学物理系 年份:2005
    摘要:运用Kroning-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.
  • 【期刊】 GaAs/AlxGa1—xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究

    刊名:物理学报 作者:缪中林 ; 陈平平 ; 陆卫 ; 徐文兰 ; 李志锋 ; 蔡炜颖 ; 史国良 ; 沈学础 关键词:表面量子阱 ; 原位光调制反射谱 ; 分子束外延 ; 砷化镓 ; 半导体 机构:中国科学院上海技术物理研究所 ; 中国科学院上海技术物理研究所 ; 中国科学院上海技术物理研究所 年份:2001
    摘要:用分子束外延(MBE)方法生长了两种典型阱宽(5nm和10nm)的表面单量子阱,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚.以原位光调制光谱(PR)作为测量手段,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用,并且看到了10nm表面量子阱激发态的跃迁峰.采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释.
  • 【会议】 黄铁矿还原亚硒酸的XAS研究

    作者:康明亮 ; 刘春立 ; 陈繁荣 ; Laurent Charlet 关键词:高放废物地质处置 ; Fe(Ⅱ)-硫化物 ; 亚硒酸 ; 还原沉淀 机构:北京分子科学国家实验室,放射化学与辐射化学重点学科实验室,北京大学化学与分子工程学院应用化学研究所 ; 北京分子科学国家实验室,放射化学与辐射化学重点学科实验室,北京大学化学与分子工程学院应用化学研究所 ; 中国科学院广州地球化学研究所,矿物学与成矿学重点实验室 ; 格勒诺布第一大学(约瑟夫·傅里叶大学)地球科学系 年份:2012
    摘要:利用X射线吸收同步辐射近边和扩展边精细结构谱(XANES-EXAFS),对黄铁矿还原亚硒酸的产物进行了较系统的研究。结果表明,Se(Ⅳ)与天然黄铁矿在pH≤5.65条件下的反应产物为Se(0),在pH≈6.1附近,可能有少量的FeSeO_3或Fe-Se化合物生成,在pH≥6.94时,由于Fe(Ⅲ)-氢氧化物的沉淀,在一定程度上阻滞了热力学上最稳定产物FeSe_2的生成;通过Se(Ⅳ)/Se(Ⅵ)与合成的黄铁矿-等轴磁硫铁矿反应,在pH≈6.2和pH≈10.3条件下,首次观察到热力学上最稳定产物FeSe_2的生成,表明~(79)Se在含Fe(Ⅱ)-硫化物的地质环境中,有可能形成其最难溶解的形态而被阻滞迁移。研究结果也表明,在一定程度上,黄铁矿还原亚硒酸过程并不产生酸。因此,Fe(Ⅱ)-硫化物有望作为较理想的还原剂,在地质时间尺度上阻滞~(79)Se的迁移。
  • 【期刊】 屏蔽对GaAs/AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响

    刊名:内蒙古大学学报:自然科学版 作者:曹轶乐 ; 班士良 关键词:异质结 ; 结合能 ; 屏蔽影响 ; 电子面密度 ; 施主杂质 ; 半导体 年份:2001
    摘要:对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量.对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.
  • 【期刊】 后退火对InxGa1—xAs单层量子点光学性质的影响

    刊名:强激光与粒子束 作者:赵震 关键词:量子点 ; 后退火工艺 ; 铟镓砷 ; 半导体激光器 机构:俄罗斯科学院A.F.Ioffe物理技术研究所 ; 俄罗斯科学院A.F.Ioffe物理技术研究所 年份:1999
    摘要:研究了以GaAs和Al0.15Ga0.85As为基体,当铟的摩尔分数(x)不同时,后退火对InGa1-xAf单层量子点光致荧光(PL)谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品(x=0.23,0.37,0.50,1.0)的PL谱线宽度变窄和蓝移。
  • 【期刊】 磁场下半导体GaAs/AlxGa1—xAs异质结中的杂质态

    刊名:发光学报 作者:张敏 ; 班士良 关键词:异质结 ; 磁场 ; 杂质态 ; 屏蔽 年份:2004
    摘要:对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果表明,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强,从而对杂质态的结合能有明显的影响,结合能随磁感应强度的增强而显著增大.还计算了杂质位置、电子面密度产生的导带弯曲以及屏蔽效应诸因素对结合能的影响.结果显示,结合能对电子面密度和杂质位置的变化十分敏感,屏蔽则使得有效库仑吸引作用减弱而导致结合能明显下降.
  • 【期刊】 长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1—xAs红外吸收的研究

    刊名:华北工学院学报 作者:杨晓峰 ; 许丽萍 关键词:红外吸收 ; GaAs/AlxGa1-xAs TN213 ; 超晶格 机构:华北工学院理学系 ; 华北工学院理学系 ; 华北工学院理学系 年份:2000
    摘要:目的 研究长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1-xAs红外吸收的特性,尤其在10.6μm处的红外吸收。方法 在有效质量的基础上,计算GaAs/AlxGa1-xAs系列超晶格材料能带及带间光吸收谱。结果 发现当GaAs/Al0.3Ga0.7As的周期层厚为18nm,GaAs层厚为3nm,在10.6μm处有一强的红外吸收峰。结论 这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料。
  • 【期刊】 衬底温度和生长速率对NBE自组织生长InxGa1—xAs/GaAs QD的影响

    刊名:半导体学报:英文版 作者:于磊 ; 曾一平 关键词:自组织生长 ; 衬底温度 ; 生长速率 ; MBE ; 砷化镓 年份:2000
    摘要:研究了GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAs QD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAs QD的形状及尺寸,通过调节衬底温度和生长
  • 【期刊】 Cδ掺杂AlxGa1—xAs多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍?…

    刊名:浙江大学学报:自然科学版 作者:董争 ; Li,G 关键词:霍耳测试 ; 砷化镓 ; 镓铝砷 ; 碳δ掺杂 ; 超晶格 机构:浙江大学科学与工程学系 ; 浙江大学科学与工程学系 ; 浙江大学科学与工程学系 年份:2000
    摘要:使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延与pipiAlxGa1-xAs超晶和。结果表明,以TMAl为掺杂源的Cδ掺杂AlxGa1-xAs多层外延样品的二维空们浓度可达到1.1*10^13/cm^2,比以TMG为掺杂源的样品提高一个数量级,且其掺杂浓度对Al摩尔分数的依赖程度远使使用TMG为低。实验还发现具有10^15/cm^2二维空穴浓度的Cδ反杂
  • 【期刊】 InxGa1—xAs/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

    刊名:半导体学报:英文版 作者:王晓亮 ; 孙殿照 关键词:应变量子阱 ; 化合物半导体 ; 激子跃迁能量 ; 机构:中国科学院半导体研究所 ; 中国科学院半导体研究所 ; 中国科学院半导体研究所 年份:1998
    摘要:本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化。用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68。用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分。用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量。对量子阱中的激子跃迁
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