·
搜索结果:找到“H2等离子体”相关结果85694条
排序: 按相关 按相关 按时间降序
  • 【期刊】 H_2等离子体制备免焙烧Ce改性的MoP加氢脱硫催化剂

    刊名:石油学报(石油加工) 作者:王伟 ; 遇治权 ; 李翔 ; 王安杰 ; 亓伟 关键词:磷化钼 ; 加氢脱硫(HDS) ; ; 改性 ; H2等离子体 ; 免焙烧 机构:大连理工大学精细化工国家重点实验室 ; 大连理工大学精细化工国家重点实验室 ; 银川能源学院 ; 辽宁省省级高校石油化工技术与装备重点实验室 年份:2017
    摘要:采用免焙烧法制备催化剂前驱体,用H_2等离子体还原制备免焙烧的MoP(NC-MoP)催化剂和Ce改性的MoP(Ce-MoP(n))催化剂。对制备的催化剂进行XRD和N_2物理吸附表征,并用质量分数为0.8%的二苯并噻吩/十氢萘(DBT)溶液来考察催化剂的加氢脱硫(HDS)反应活性。与焙烧的MoP(C-MoP)催化剂相比,NC-MoP具有较小的颗粒尺寸和较大的比表面积,从而具有较高的DBT加氢脱硫反应活性;引入Ce后,催化剂的颗粒尺寸降低,比表面积增加,反应活性提高;Ce含量较低时,助催化效果随着Ce含量的增加而增强,Ce-MoP(0.3)具有最高的反应活性。
  • 【期刊】 高气压直流辉光CH_4/H_2等离子体的气相过程诊断

    刊名:物理学报 作者:郑仕健 ; 丁芳 ; 谢新华 ; 汤中亮 ; 张一川 ; 李唤 ; 杨宽 ; 朱晓东 关键词:高气压直流等离子体 ; 光发射谱 ; 质谱 机构:中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室 年份:2013
    摘要:对高气压(约100Torr)直流辉光碳氢等离子体的气相过程进行了光谱和质谱原位诊断.在高气压下,等离子体不同区域光发射特性存在明显差异.正柱区存在着以C2和CH为主的多个带状谱和分立谱线,阳极区粒子发射谱线明显减少,而在阴极区则出现大量复杂的光谱成分,表明高气压情形下等离子体与阴极间强烈的相互作用将导致复杂的原子分子过程.从低气压到高气压演变过程中,电子激发温度降低而气体分子转动温度升高.在高气压下,高甲烷浓度导致C2,C2H2及C2H4增多而C2H6减少.表明在高气压条件下,气体温度对气相过程的影响作用显著增强.
  • 【期刊】 高气压直流辉光CH4/H2等离子体的气相过程诊断

    刊名:物理学报 作者:郑仕健 ; 丁芳 ; 谢新华 ; 汤中亮 ; 张一川 ; 李唤 ; 杨宽 ; 朱晓东 关键词:高气压直流等离子体 ; 光发射谱 ; 质谱 机构:中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室 年份:2013
    摘要:对高气压(约100Torr)直流辉光碳氢等离子体的气相过程进行了光谱和质谱原位诊断.在高气压下,等离子体不同区域光发射特性存在明显差异.正柱区存在着以C2和CH为主的多个带状谱和分立谱线,阳极区粒子发射谱线明显减少,而在阴极区则出现大量复杂的光谱成分,表明高气压情形下等离子体与阴极间强烈的相互作用将导致复杂的原子分子过程.从低气压到高气压演变过程中,电子激发温度降低而气体分子转动温度升高.在高气压下,高甲烷浓度导致C2,C2H2及C2H4增多而C2H6减少.表明在高气压条件下,气体温度对气相过程的影响作用显著增强.
  • 【期刊】 SiH_4/H_2等离子体气相生长硅薄膜的动力学模型

    刊名:物理学报 作者:文书堂 ; 张红卫 ; 张丽伟 ; 陈改荣 ; 卢景霄 关键词:等离子体化学气相沉积 ; 薄膜生长机理 ; 扩散长度 机构:新乡学院化学与化工学院 ; 新乡学院化学与化工学院 ; 郑州大学材料物理教育部重点实验室 ; 郑州师专物理系 年份:2010
    摘要:在化学气相沉积微晶硅薄膜过程中,为了降低成本,必须提高生长速率,但薄膜的微观结构和光电性能则随之降低,原因是成膜先驱物在薄膜表面上的扩散长度降低了.本文利用量子化学的反应动力学理论建立有关成膜先驱物SiH3和H的反应平衡方程,求解薄膜生长速率和成膜先驱物的扩散长度,并找出影响生长速率与扩散长度的微观参数,发现生长速率不仅与流向衬底的SiH3的通量密度有关,而且与H的通量密度有关;SiH3的扩散长度与衬底温度和薄膜表面的硅氢键的形态有关,当薄面表面被Si—H覆盖时,SiH3扩散长度较大,当薄面表面被Si—3H覆盖时,扩散长度较小,当薄面表面被悬键覆盖时,扩散长度趋于零.
  • 【期刊】 MP-CVD中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团的影响

    刊名:光电子.激光 作者:曹为 ; 李国伟 ; 吴建鹏 ; 马志斌 关键词:金刚石膜 ; 等离子体 ; 发射光谱法(OES) 机构:武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 ; 武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 年份:2013
    摘要:采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气相沉积(MP—CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对cH4/H2等离子体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Ha、Hβ、Hy、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度的增加而增强,其中c2基团的光谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊断发现等离子体球中基团沿径向分布不均匀,随cH4浓度增加,c2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果表明,低CH4浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。
  • 【期刊】 工频脉冲激励条件下线形微波H_2等离子体的Langmuir探针诊断

    刊名:真空科学与技术学报 作者:刘伟 ; 唐伟忠 ; 黑立富 ; 蒋开云 关键词:Langmuir探针 ; 微波等离子体 ; 脉冲电源 机构:北京科技大学材料科学与工程学院 ; 北京科技大学材料科学与工程学院 ; 北京科技大学材料科学与工程学院 ; 北京科技大学材料科学与工程学院 ; 北京科技大学材料科学与工程学院 年份:2007
    摘要:在金刚石膜的化学气相沉积过程中,使用脉冲电源激励的微波等离子体可以提高金刚石膜的沉积速率或金刚石膜的质量。本文使用Langmuir探针研究了在工频脉冲电源激励条件下形成的线形微波H2等离子体的状态和开关特性。实验测量了在使用一支磁控管单独激励和两支磁控管共同激励情况下的H2等离子体的状态参量,包括等离子体的空间电位Vsp、探针悬浮电位Vf、电子温度Te和电子密度ne随时间的变化,特别是讨论了H2等离子体参量在激励电源开启与关断瞬间的过渡特征。
  • 【会议】 大气压射频Ar/H2等离子体射流特性及其应用于铜膜制备的研究

    作者:郭起家 ; 倪国华 ; 郭起家 关键词:射频等离子体 ; 铜膜制备 ; 电极烧蚀 机构:中国科学院等离子体物理研究所 ; 中国科学院等离子体物理研究所 ; 中国科学技术大学 年份:2017
    摘要:沉积铜膜于聚酰亚胺基材上是制备柔性印刷电路板的一个重要步骤。我们采用一种大气压下射频驱动的氩气/氢气放电装置成功实现了在聚酰亚胺基底上沉积高质量铜膜。该放电装置由缠绕着石英管外壁的射频线圈和放置于石英内的铜线组成,铜线不仅作为放电电极,同时也是沉积铜膜的原材料。应用高速相机拍摄到的点燃过程表明,放电起始于铜线尖端处,在轴向电场和气流的作用下形成等离子体射流;放电电压电流波形及伏安特性曲线表明这是一种容性耦合的丝状放电。采用发射光谱诊断表明,放电等离子体气体温度约为1400K,电子激发温度约为8000K,电子数密度约为1020m-3。通过改变放电功率、气体组分和气流速度研究了等离子体特性参数对铜线烧蚀及铜膜性能的影响,结果表明增大输入功率可提高铜线的烧蚀速率和提高铜膜的沉积速率,并使铜膜的粗糙度增大。在氩气中添加少量的氢气,可显著提高等离子体气体温度,但同时降低了放电电流以及等离子体与铜丝的接触面积,因此,当氢气浓度由0增加至2.4‰时,铜丝烧蚀量呈上升趋势,铜膜沉积速率和粗糙度增加;当氢气浓度大于2.4‰时,铜丝烧蚀量呈下降趋势,铜膜沉积速率和粗糙度减小。提高放电气体的流速可减小铜线烧蚀速率,降低铜膜沉积速率和粗糙度。
  • 【期刊】 MP-CVD中CH_4浓度对CH_4/H_2等离子体中基团的影响

    刊名:光电子.激光 作者:曹为 ; 李国伟 ; 吴建鹏 ; 马志斌 关键词:金刚石膜 ; 等离子体 ; 发射光谱法 ; OES 机构:武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 ; 武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 年份:2013
    摘要:采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度的增加而增强,其中C2基团的光谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊断发现等离子体球中基团沿径向分布不均匀,随CH4浓度增加,C2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果表明,低CH4浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。
  • 【期刊】 HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究

    刊名:真空科学与技术学报 作者:颜官超 ; 丁斯晔 ; 朱晓东 ; 周海洋 ; 温晓辉 ; 丁芳 关键词:-αSiC ; 纳米 ; HMDSO 机构:中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 ; 中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系 年份:2006
    摘要:本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米-αSiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy∶H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了-αSiC晶体的形成。
  • 【期刊】 CCl2F2/H2等离子体用于GaAs的反应离子蚀刻

    刊名:等离子体应用技术快报 作者:王惠三 关键词:砷化镓 ; 等离子体 ; 离子蚀刻 年份:1995
    摘要:
  • 【期刊】 煤在H_2/Ar等离子体热解过程中硫转化的研究

    刊名:太原理工大学学报 作者:阎佳 ; 朱自平 ; 王建成 关键词: ; 等离子体 ; 加氢热解 ; 脱硫 机构:山西轻工职业技术学院 ; 山西轻工职业技术学院 ; 太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 年份:2009
    摘要:对兖州和义马两种高硫煤在H2/Ar等离子体热解过程中的脱硫行为进行了研究。探讨了等离子输入功率、停留时间和供煤速率对H2S产率的影响。研究结果表明,H2S产率随等离子发生器功率的增大而增加;随停留时间的延长H2S产率先增加,然后降低;反应后焦样的n(S)/n(C)比原煤的n(S)/n(C)小,表明硫的反应活性较碳高,容易转化进入气相。XRD结果显示含氢等离子体煤热解过程和加氢热解过程中硫的转化机理不同,含氢等离子体煤热解过程无机硫全部转化成气相产物。
  • 【期刊】 煤质对H_2/Ar等离子体热解制乙炔的影响

    刊名:燃料化学学报 作者:鲍卫仁 ; 吕永康 ; 刘生玉 ; 谢克昌 关键词: ; 等离子体 ; 热解 ; 乙炔 机构:太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 ; 太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 ; 太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 ; 太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 ; 太原理工大学煤科学与技术教育部和山西省重点实验室 年份:2004
    摘要:选取12种不同变质程度的煤,通过等离子体热解实验考察了煤的挥发分产率、煤中氧质量分数、灰分产率对乙炔收率和结焦的影响。研究结果表明,挥发分产率为30%~40%的烟煤,热解时具有较高的乙炔收率;含氧量越高的煤,生成的碳氧化物越多,相应的乙炔收率较低;煤中的矿物质与乙炔收率之间并不存在相关性,但煤中的矿物质有利于CO的生成。影响结焦量的主要因素与煤的矿物质密切相关,煤中掺入二氧化硅和天然河沙能够明显增加结焦量,改变结焦形态。
上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 跳转