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  • 【期刊】 可提高晶体管电子迁移率的硅-氮化镓晶体技术

    摘要:伊利诺伊大学厄巴纳·尚佩恩分校的一个研究小组通过优化构成器件的半导体层的组成提高氮化镓(GaN)-硅晶体管技术。并与行业合作伙伴Veeco和IBM合作,该团队在200mm硅衬底上创建了高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,其工艺将扩展到更大的工业标准晶圆尺寸。
  • 【会议】 表界面技术制备高晶态有机二维聚合物

    作者:阚晓楠;潘庆艳;赵英杰;李志波; 关键词:二维聚合物;;共轭聚合物;;LB膜技术;;表界面技术;;结晶性 机构:青岛科技大学; ; 青岛科技大学; 年份:2017
    摘要:我们利用表界面技术,通过炔炔偶联反应,在铜催化下于空气/水界面上成功制备了高晶态的碳-氮双炔结构的共轭二维聚合物并对其结构进行了表征。所得形貌特征通过透射电镜、扫描电镜以及原子力显微镜进行了表征,外观呈现出规则的六边形结构,平均厚度8 nm。选区电子衍射与高分辨透射电镜图说明该结构具有良好的周期性。对于衍射点的计算模拟指出其堆积结构应为A-B-C型堆积结构。XPS能谱图说明结构中含有必须的几种成键方式,GIWAXS扫描也证明了其高晶态结构。该种方法实现了一种高晶态共轭二维聚合物的制备,该二维聚合物的平均厚度为8 nm,该聚合物对于进一步研究该类类石墨炔二维结构的本征性能以及其在半导体器件中的应用具有一定的意义。
  • 【期刊】 一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法

    摘要:成果描述:本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理(简称为“AIN预处理门”),降低GaN中氧杂质的浓度,减少需要被补偿的背景电子浓度,因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。
  • 【期刊】 一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法

    摘要:成果描述:本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理(简称为“AIN预处理门”),降低GaN中氧杂质的浓度,减少需要被补偿的背景电子浓度,因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。
  • 【期刊】 河南安阳高晶高端汽车铝合金车轮项目开工建设

    刊名:新材料产业 关键词:铝合金车轮 ; 河南安阳 ; 汽车 ; 经济技术开发区 ; 红旗渠 年份:2017
    摘要:4月15日,豫联集团·林丰铝电安阳高晶高端汽车铝合金车轮项目开工奠基仪式在国家红旗渠经济技术开发区隆重举行。
  • 【论文】 高晶圆芯片利用率的LED多芯片封装混Bin设计

    作者:高淑婷 关键词:LED ; 多芯片 ; 混Bin ; 光色一致性 ; 光谱 机构:哈尔滨理工大学 ; 哈尔滨理工大学 年份:2015
    摘要:发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种新型固态光源。具有体积小、重量轻、价格低、寿命长、绿色环保等特点,在背光照明、道路交通、交通工具、显示屏等领域有着广泛的应用。成本低、光效高、能耗低的多芯片白光LED在照明领域广泛应用,引起人们关注。目前,LED处于发展初期阶段,使用寿命、价格及光色一致性制约LED发展。本文以LED单色光光谱为研究基础,研究LED光电参数对器件性能的影响及提高晶圆芯片利用率的LED多芯片混Bin设计方法。 本设计基于LED晶圆上不同Bin的蓝光芯片,研究混Bin对LED光辐射通量、色坐标和波长的影响,通过混Bin试验,不同波长的芯片混合使用,采用0.5m小积分球,测量试验样品的光电参数及电流和温度对光电参数的影响。研究不同Bin两颗芯片单独点亮后叠加光谱参数与两颗芯片混Bin后光谱参数,结果表明,两种情况的光辐射通量和色坐标的理论计算与测试数据相同。 建立LED芯片光辐射通量、波长和色坐标之间关系,利用关系式可挑选混Bin芯片,并作为多芯片LED选择混Bin芯片的标准,试验结果与理论计算结果一致。 COB封装方式通常包含LED两颗以上LED芯片,通过混Bin关系式,计算蓝光芯片参数,方便挑选芯片且可保证多芯片封装时光源的光色一致性,提高晶圆芯片利用率,降低LED成本。 在蓝光LED+不同色荧光粉实现白光LED条件下,通过混Bin关系式计算蓝光芯片参数,预估混Bin后LED的光电参数,可将不同Bin的LED芯片封装在同一荧光膜下,提高荧光粉的利用率,降低白光LED成本。
  • 【专利】 一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法

    作者:王喜龙 年份:2017
    摘要:本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法,应用于键合工艺的晶圆,其中,晶圆具有一键合界面,键合界面的硅原子具有悬挂键;提供一第一反应腔体,用以放置晶圆;包括以下步骤:步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气;步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层;步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构;步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理,使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合。其技术方案的有效果在于,效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度,减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。
  • 【专利】 一种能够提高晶棒拉晶电阻率的二次加料器

    作者:范桂林 ; 李茂欣 年份:2017
    摘要:本实用新型公开了一种能够提高晶棒拉晶电阻率的二次加料器,包括底座,所述底座的顶部固定安装有单晶炉,单晶炉为中空结构,单晶炉的顶部开设有进料孔,进料孔内固定安装有进料管,且进料管的两端均延伸至进料孔外,进料管的顶端安装有密封盖,进料管的一侧顶部开设有一侧为开口的第一凹槽,密封盖的底部固定安装有第一连接块,第一连接块活动安装在第一凹槽内,第一凹槽的两侧内壁上对称开设有第二凹槽。本实用新型结构简单,操作方便,把密封盖固定在进料管上,有效的避免了高温物体从单晶炉内溢出,保障了工作人员的人身安全,同时下次使用时还能很方便的把密封盖打开,保障了加料的及时性。
  • 【会议】 水热合成和后焙烧处理制备高晶化度Zn_2GeO_4纳米棒

    作者:马保军 ; 林克英 ; 苏暐光 ; 刘万毅 机构:宁夏大学能源化工重点实验室,宁夏大学化学化工学院 ; 宁夏大学能源化工重点实验室,宁夏大学化学化工学院 年份:2013
    摘要:采用水热方法合成了Zn2GeO4纳米棒。通过后处理,在空气氛围中焙烧Zn2GeO4纳米棒获得高晶化度Zn2GeO4纳米棒。该种方法简单、成本低廉,适合于工业化生产。
  • 【专利】 一种用于提高晶圆湿洗机清洗速度和质量的装置

    作者:陈波 ; 唐淋 ; 余朝晃 ; 郑敏 ; 樊建银 年份:2017
    摘要:一种用于提高晶圆湿洗机清洗速度和质量的装置,它包括箱体,箱体内设置有带孔支架、电热管、温控探针、进气管;所述带孔支架上可拆卸的设置有晶圆放置架;所述进气管顶端伸出于箱体上端且进气管顶端设置有压力表、流量调节阀,所述进气管末端设置有出气管;所述箱体外设置有控制器,所述控制器与温控探针、电热管连接。本实用新型的目的是提供一种用于提高晶圆湿洗机清洗速度和质量的装置,结构简单,可提高清洗的效率及质量。
  • 【专利】 一种能提高晶圆利用率的1分64路芯片

    作者:张晓川 ; 林尚亚 ; 刘勇 ; 陆昇 年份:2013
    摘要:本实用新型公开了一种能提高晶圆利用率的1分64路芯片,对晶圆的利用率高,制作成本低的一种能提高晶圆利用率的1分64路芯片,包括圆形衬底层,在圆形衬底层上设有圆形下包层,在圆形下包层上设有圆形芯层,在芯层上设有上包层。在圆形芯层划分有若干个为等腰梯形状的大小相等的完整等腰梯形区块,在每个完整等腰梯形区块加工成1分64路的Y形光波导,沿着完整等腰梯形区块的边沿将所述晶圆切割成若干块芯片,并通过封装技术对芯片进行贴盖板封装。本实用新型主用应用于芯片制作时的晶圆利用技术中。
  • 【期刊】 密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究

    刊名:半导体技术 作者:刘锋 ; 韩焕鹏 ; 李丹 ; 王世援 ; 吴磊 ; 周传月 ; 莫宇 关键词:硅单晶 ; <111>晶向 ; 直拉法 ; 高晶转 ; 密闭式热场 机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所 ; 中国电子科技集团公司第四十六研究所 年份:2011
    摘要:在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻<111>晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对<111>晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。
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