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  • 【期刊】 超大规模集成电路

    刊名:走近科学 作者:张岭 关键词:超大规模集成电路 ; 中国 ; 市场竞争力 ; 企业融资 ; 自主创新能力 年份:2003
    摘要:2002年9月28日,北京.中国科学院计算所举行了一个盛大的新闻发布会。
  • 【期刊】 超大规模集成电路

    刊名:南水北调与水利科技 年份:2002
    摘要: 集成电路是采用专门的设计技术和特殊的集成工艺,把构成半导体电路的晶体管、二极管、电阻、电容等基本元器件,制作在一块半导体单晶片(例如硅或砷化镓)或绝缘基上,能完成特定功能或
  • 【期刊】 超大规模集成电路

    刊名:贵州航天 作者:Kanza. ; K 张孝祥 关键词:超大规模 集成电路 年份:1994
    摘要:
  • 【期刊】 超大规模集成电路

    刊名:微电子学 作者:太田邦 ; 清水京造 ; 垂井康夫 ; 李世兴 年份:1980
    摘要: 在逝去的二十年间,随着集成电路技术的进展,以计算机为中心的许多系统的性能、可靠性、实用性亦大幅度地得到提高。所谓超大规模集成电路技术就是继之发展起来的一门新技术。其实况如图1所示:正在高速发展的其元件的微细加
  • 【期刊】 超大规模集成电路

    刊名:半导体技术 年份:1976
    摘要: 回顾集成电路的历史,搞集成电路有三个目的:高可靠、高速度和小型化,主要就是为了经济性。研制超大规模集成电路的一个主要目的就是提高成品率、性能效果。这次日本名城大学志村幸雄来华座谈介绍了超大规模集成电路的研究背景和日本的研制体制以及一些技术问题,现摘要转登如下: 通产省超大规模集成电路研制的主要项目如下: 1.微细加工技术的研究:具体的如电子束曝光技术,目标:条宽0.1~0.5微米。尽管微细加工仅占整个工艺技术的10%左右,但起关键作用。 2.结晶技术的研究:现用的单晶直径为3吋,缺陷密度为10000个/厘米~2。为用于超大规模集成电路,单晶必须尽可能做到没有缺陷,即制造完美单晶。技术指标是采用φ5吋的单晶,缺陷密度为10~100个/厘米~2。 3.工艺技术的研究:包括外延生长、杂质扩散、离子注入、布线、腐蚀等技术。据介绍超大规模集成电路除实现超高密度的目的外,对于杂质扩散要进行三维的精确控制,即在结深方向还要控制杂质浓度的分布情况。为此,只有用离子注入才能实现杂质浓度和分布的精确控制和浅的平整结。 4.试验评价技术的研究:需要有高性能的测试技术和装置。
  • 【期刊】 超大规模集成电路的板级测试研究

    刊名:重庆理工大学学报(自然科学) 作者:李志威;潘中良;叶小敏; 关键词:超大规模集成电路;;板级测试;;互连测试;;簇测试 机构:广州民航职业技术学院飞机维修工程学院 ; 广州民航职业技术学院飞机维修工程学院 ; 华南师范大学物理与电信工程学院 ; 马瑞利汽车电子(广州)有限公司 年份:2019
    摘要:为检测以超大规模集成电路为核心的电子设备,设计了基于边界扫描技术的电路测试系统。对超大规模集成电路进行板级测试,并提出在互连网络两端的边界扫描单元分别做输出操作的针对互连测试和簇测试过程的测试方法。测试结果表明:利用该方法,提高了超大规模集成电路板级故障的分辨能力,获得了更好的测试效果。
  • 【期刊】 超大规模集成电路用硅片产业化

    刊名:世界科学 作者:刘浦锋 机构:上海超硅半导体有限公司 ; 上海超硅半导体有限公司 年份:2013
    摘要:●目前国内企业生产的硅片主要以直径4-6英寸抛光片为主,8英寸抛光片尚不能实现大批量生产,12英寸抛光片更是只能在实验室制造,远不能满足国内集成电路企业需求。我国硅抛光片无论从质量还是数量上来看,与国际先进水平还存在很大的差距。
  • 【期刊】 Clock Gating技术在超大规模集成电路设计时的应用

    刊名:数字技术与应用 作者:王英 ; 王金城 关键词:动态功耗 ; 时钟树 ; clock gating技术 年份:2015
    摘要:功耗是困扰超大规模集成电路发展的一个严重问题,而其中作为时钟树的电路占据在整个芯片的功耗的主要部分,改善时钟树功耗将大为改善整个芯片功耗。Clock Gating技术是改善时钟树功耗的有效直接方法,文章阐述了clock gating技术的基本原理以及多种适用于不同芯片电路结构的clock gating技术。
  • 【期刊】 超大规模集成电路可靠性评估综述

    刊名:电脑知识与技术 作者:朱旭光 关键词:超大规模集成电路 ; 系统级 ; 寄存器传输级 ; 逻辑级 ; 晶体管级 ; 可靠性评估 机构:同济大学计算机科学与技术系 ; 同济大学计算机科学与技术系 年份:2012
    摘要:为适应系统级芯片(SoC)高性能的要求,超大规模集成(VLSI)电路的密度和复杂度不断增加,从而为SoC芯片的可靠性带来了严峻的挑战。因此,准确评估VLSI电路的可靠性成为一个重要问题。该文主要从不同的层面和角度综合概述了前人及本课题组对VLSI可靠性进行评估的方法和策略及其解决的问题,最后结合作者的实际工作,描述了应进一步完善的工作并指出了当前工作的不足和困难。
  • 【期刊】 超大规模集成电路多孔电介质介电常数与分形维数

    刊名:长沙医学院学报 作者:唐燕妮 关键词:超大规模集成电路 ; 多孔电介质 ; 分形维数 ; 介电常数 机构:长沙医学院基础医学院 ; 长沙医学院基础医学院 年份:2017
    摘要:技术的发展要求超大规模集成电路的特征尺寸进一步降低以提高元件密度,这就需要低介电常数(k)的多孔电介质的应用。而多孔介质的输运物理性质通常与其微结构有密切关系。本文在综述多孔电介质利用分形模型分析方法的基础上,利用分形几何理论,进一步把多孔电介质介电常数(k)与反映孔微结构的分形维数联系起来,更好地适应于实际中不均一不规则的多孔电介质介电常数的分析计算。
  • 【期刊】 纳米级超大规模集成电路芯片低功耗物理设计分析

    刊名:通信电源技术 作者:张博文 关键词:超大规模集成电路 ; 纳米级 ; 电路芯片 ; 电路设计 机构:运城学院 ; 运城学院 年份:2020
    摘要:简要介绍了功耗的组成;在此基础上从工艺、电路、门、系统四个层面探讨了纳米级超大规模集成电路的低功耗物理设计方法;提出一种基于GoldenUPF的低功耗物理设计过程;为纳米级超大规模集成电路芯片设计人员进行低功耗设计提供参考;
  • 【期刊】 超大规模集成电路可靠性评估综述

    刊名:《电脑知识与技术:学术交流》 作者:朱旭光 关键词:超大规模集成电路,系统级,寄存器传输级,逻辑级,晶体管级,可靠性评估 年份:2012
    摘要:为适应系统级芯片(SoC)高性能的要求,超大规模集成(VLSI)电路的密度和复杂度不断增加,从而为SoC芯片的可靠性带来了严峻的挑战。因此,准确评估VLSI电路的可靠性成为一个重要问题。该文主要从不同的层面和角度综合概述了前人及本课题组对VLSI可靠性进行评估的方法和策略及其解决的问题,最后结合作者的实际工作,描述了应进一步完善的工作并指出了当前工作的不足和困难。
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