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  • 【期刊】 梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响

    刊名:发光学报 作者:李宝珠 ; 黄振 ; 邓高强 ; 董鑫 ; 张源涛 ; 张宝林 ; 杜国同 关键词:氮化镓 ; 梯度铝镓氮缓冲层 ; 晶体质量 ; 应力 机构:集成光电子国家重点联合实验室 ; 集成光电子国家重点联合实验室 ; 吉林大学电子科学与工程学院 年份:2017
    摘要:采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(AlxGa1-xN: x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层.分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征.实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高.在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×107 cm-2和3.1×108 cm-2,样品表面粗糙度为0.381 nm.这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量.
  • 【期刊】 质子在氮化镓中产生位移损伤的Geant4模拟

    刊名:原子能科学技术 作者:何博文 ; 贺朝会 ; 申帅帅 ; 陈袁妙梁 关键词:氮化镓 ; 质子 ; 位移损伤 机构:西安交通大学核科学与技术学院 ; 西安交通大学核科学与技术学院 年份:2017
    摘要:材料受到辐照时产生的位移损伤会导致其微观结构发生变化,从而使其某些使用性能退化,影响其使用效率,减短其使用寿命.利用Geant4模拟了质子在氮化镓中的输运过程,计算了1、10、100、500 MeV能量质子入射氮化镓材料产生的初级撞出原子的种类、能量信息及离位原子数.获得了10 MeV质子产生的位移缺陷分布;计算了4种能量质子入射氮化镓材料产生的非电离能量损失(NIEL);研究了质子产生位移损伤过程的影响要素.研究发现,入射质子能量对其在材料中产生的初级撞出原子的种类、能量、离位原子数等信息有着非常大的影响;单位厚度所沉积NIEL随着入射质子能量的增大而减小;10 MeV质子入射氮化镓所产生的离位原子数随入射深度的增加而增加,但在超出其射程范围以外有一巨大回落;能量并不是影响质子与氮化镓靶材料相互作用的唯一因素.
  • 【期刊】 新型氮化镓功率晶体管建模与特性分析

    刊名:电器与能效管理技术 作者:魏成伟 ; 郑连清 ; 任全礼 关键词:氮化镓 ; 功率晶体管 ; 静态特性 ; 动态特性 ; PSpice建模 机构:新疆工程学院电气与信息工程系 ; 新疆工程学院电气与信息工程系 ; 重庆美的通用制冷设备有限公司 年份:2019
    摘要:提出了一种适用于复杂电路仿真分析的新型氮化镓(GaN)功率晶体管模型。对器件静态特性的主要影响因素源漏电流以及动态特性的主要影响因素极间寄生电容的非线性特性进行理论分析,并依此建立了器件的静态、动态特性模型。模型参数可以通过技术手册提供的器件输出特性、电容电压特性提取。在PSpice软件中建立等效电路,设计了感性负载开关电路,并将模型应用于器件的开关特性分析和缓冲电路设计。仿真和试验结果对比证明了模型的有效性。
  • 【期刊】 两步生长法制备准有序氮化镓纳米线

    刊名:功能材料与器件学报 作者:宗杨 ; 宋文斌 ; 孙晓东 ; 王莉 关键词:氮化镓纳米线 ; 有序生长 ; 催化剂 机构:大连东软信息学院电子工程系 ; 大连东软信息学院电子工程系 年份:2018
    摘要:利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备准有序氮化镓纳米线。以带有氮化镓外延层(0001)的蓝宝石(Al2O3)作为衬底,表面沉积镍金(Ni/Au)薄膜作为催化剂,三甲基镓(TMGa)和氨气(NH3)作为气体源由载气通入反应室,在高温条件下生长出GaN纳米线。实验结果表明,生长温度影响纳米线的表面形貌,在750℃可以生长出形貌较好的纳米线。催化剂层的厚度影响纳米线的生长模式和有序性。通过两步生长法,可以制备出较为有序的氮化镓纳米线。
  • 【专利】 一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件

    作者:李亦衡 ; 张葶葶 ; 朱廷刚 ; 朱友华 年份:2018
    摘要:本申请提供一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基HEMT器件,包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极,所述异质结构包括:作为沟道层的第一半导体层;所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层;所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气,所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失;所述p型半导体层与所述栅极之间插入有栅极介电层。利用本申请中各个实施例,可以降低漏电流,并增加栅极电压在漏电流可接受范围内的范围。
  • 【期刊】 Ka频段氮化镓功放的预失真线性化器设计

    刊名:计算机测量与控制 作者:王崇 ; 杨志国 关键词:氮化镓 ; 固态功率放大器 ; 开环 ; 模拟预失真 ; 肖特基二极管 机构:中国电子科技集团公司第五十四研究所 ; 中国电子科技集团公司第五十四研究所 年份:2018
    摘要:基于满足目前高效复杂的调制技术对功率放大器线性化度越来越高的需求的目的,采用模拟预失真技术设计了一种线性化器,用来改善 K a频段氮化镓 ( G a N)固态功率放大器的非线性化失真;通过改进传统的并联式二极管预失真电路,采用开环技术,将两个肖特基二极管并联;改变二极管的偏置状态,得到不同的改善程度的预失真信号;结合使用专用电磁仿真软件 AD S 2 0 1 3做电路仿真,通过参数扫描得到二极管偏置状态的初始值,为实物调试提供理论基础;通过对已加工的实物测试,结果表明:增益幅度补偿达到6 . 4d B,相位补偿达到2 8 ° .
  • 【期刊】 氮化镓/硅纳米孔柱阵列紫外光电探测性能

    刊名:科学通报 作者:陈雪霞 ; 肖旭华 ; 杜蕊 ; 李新建 关键词:氮化镓 ; 硅纳米孔柱阵列 ; 纳米异质结 ; 紫外光电探测器 机构:郑州大学物理工程学院、材料物理教育部重点实验室 ; 郑州大学物理工程学院、材料物理教育部重点实验室 年份:2018
    摘要:紫外光电探测器的研究与开发在工农业生产、环境监测与保护以及国防工业等领域均具有重要的现实意义.本文以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积(CVD)法并通过改变GaN沉积时间,制备了3种GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列,并对其表面形貌、化学组成和光致发光特性进行了表征.在此基础上,通过上、下电极制作,制备了结构为ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag的光电探测器原型器件,并对其光电探测性能进行了测量.结果表明,在不施加偏压的情况下,采用优化条件制备的ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag器件能够实现对紫外光的有效探测.器件对340nm单色紫外光的响应度达到-0.15mA/W,光响应和恢复时间分别为-0.12和-0.24s.实验结果对研制新型硅基GaN紫外光电探测器具有很好的借鉴意义.
  • 【期刊】 中国首条8英寸硅基氮化镓生产线投产

    刊名:中国集成电路 关键词:氮化镓 ; 生产线 ; 中国 ; 硅基 ; 投产 ; 半导体材料 ; 自主研发 ; 第三代 年份:2017
    摘要:英诺赛科(珠海)科技有限公司(英诺赛科)自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。氮化镓又被称作第三代半导体,是当今世界上最具潜力的半导体材料之一,并被预言将会在不久的未来改变世界。硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展,如今在产品和技术方面已经取得了重大进展。然而,在中国该产业才刚起步,中国在这一产品领域尚属空白。
  • 【期刊】 氮化镓植于石墨烯可制成弯曲LED材料

    刊名:《山东陶瓷》 作者:鲁陶 关键词:氮化镓 ; LED材料 ; 光电子材料 ; 无机化合物 ; 弯曲 ; 石墨 ; 化合物半导体 ; 有机材料 年份:2014
    摘要:目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。
  • 【期刊】 氮化镓亚波长光栅偏振分束器的设计与分析

    刊名:光通信研究 作者:李坤 ; 胡芳仁 ; 沈瑞 ; 高律 ; 周叶 关键词:氮化镓 ; 亚波长光栅 ; 偏振分柬器 ; 泄漏模共振效应 ; 等效介质理论 机构:南京邮电大学光电工程学院 ; 南京邮电大学光电工程学院 年份:2018
    摘要:基于亚波长光栅的泄漏模共振效应和等效介质理论,利用Comsol Multiphysics软件设计分析了针对1550nm工作波长的一维悬浮亚波长氮化镓光栅偏振分束器。通过改变光栅的宽度、高度以及周期来确定最终的参数。仿真结果显示,在正入射条件下,该偏振分束器在C波段(1530-1565nm)对TE模具有很高的反射率,同时对TM模具有很高的透射率,消光比达到20dB以上,TM模透射率高于98%。
  • 【期刊】 缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

    刊名:《湖北大学学报:自然科学版》 作者:文于华 ; 贺致远 ; 田芃 ; 金佳鸿 ; 张梅 ; 汤莉莉 关键词:氮化镓 ; 分子动力学 ; 二次外延 ; 缺陷 机构:湖南理工学院先进光学研究所 ; 湖南理工学院先进光学研究所 ; 湖南理工学院物理与电子学院 ; 工业和信息化部电子第五研究所 ; 湖北大学知行学院 年份:2018
    摘要:采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.
  • 【期刊】 垂直结构氮化镓基LED表面粗化的仿真模拟

    刊名:科学技术创新 作者:赵世彬 ; 汤英文 ; 陈国良 关键词:出光效率 ; 表面粗化 ; Tracepro ; LED 机构:闽南师范大学化学与环境学院 ; 闽南师范大学化学与环境学院 ; 闽南师范大学物理与信息学院 年份:2018
    摘要:当前LED研究的重点在于提高LED的出光效率,特别是外量子效率而表面粗化是提高外量子效率最简单有效的方法之一。本文主要介绍了表面粗化提高氮化镓基LED出光效率的原理,垂直结构LED的粗化特点,并利用模拟仿真软件Tracepro对垂直结构LED的表面粗化进行了计算,确定了设定属性下出光效率最高时的条件。
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