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  • 【期刊】 基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

    刊名:电子与信息学报 作者:叶勇 ; 亢勇 ; 宋志棠 ; 陈邦明 关键词:掩模只读存储器 ; 二极管阵列 ; 高密度 ; 低功耗 ; 双沟槽隔离 机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新储集成电路有限公司 年份:2017
    摘要:针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM.二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度.基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列.二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计.二极管单元的有效面积仅为0.0172μm,存储密度高达0.0268 mm2/Mb.测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%.
  • 【期刊】 低功耗SiC二极管实现最高功率密度

    刊名:世界电子元器件 年份:2018
    摘要:<正>相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力
  • 【期刊】 衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究  

    刊名:《固体电子学研究与进展》 作者:刘昊 ; 宋晓峰 ; 柏松 ; 刘奥 ; 陈刚 ; 杨立杰 关键词:4H-SiC ; 减薄 ; 激光退火 机构:宽禁带半导体电力电子器件国家重点研究室 ; 宽禁带半导体电力电子器件国家重点研究室 ; 南京电子器件研究所 年份:2016
    摘要:利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成SiC器件的研制。减薄完的晶圆比不减薄的晶圆正向压降Vf降低了0.15V,电流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不变。
  • 【期刊】 高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究

    刊名:固体电子学研究与进展 作者:郁鑫鑫 ; 周建军 ; 王艳丰 ; 邱风 ; 孔月婵 ; 王宏兴 ; 陈堂胜 关键词:金刚石 ; 肖特基二极管 ; 高电流密度 机构:南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室 ; 南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室 ; 西安交通大学电子与信息工程学院 年份:2019
    摘要:报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。
  • 【期刊】 高密度封装二极管激光器阵列

    刊名:强激光与粒子束 作者:高松信 ; 武德勇 ; 吕文强 ; 雷军 ; 唐淳 ; 刘永智 关键词:二极管激光器 ; 高密度封装 ; 背冷式叠阵 ; 热沉 ; 热阻 机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所 ; 中国工程物理研究院应用电子学研究所 ; 电子科技大学光电信息学院 年份:2008
    摘要:理论模拟了自制的高效冷却器的散热能力,分析了单元封装结构所需材料的导热特性,获得了高功率二极管激光器在高功率密度、高占空比条件下运行的可行性。改进了高密度封装的关键工艺,热沉金属化层达到了3~5μm,焊料厚度为4~7μm,封装间距0.6 mm,采用峰值功率1 kW的背冷式叠阵二极管激光器。实验测试结果表明:封装的二极管激光器叠阵单元的整体封装热阻为0.115℃/W,有良好的散热能力;该叠阵模块在电流为100 A、占空比15%时,输出峰值功率为986 W,峰值功率密度达到1.5 kW/cm2,平均每个板条的斜效率为1.25 W/A,激光器阈值电流为20 A左右。
  • 【期刊】 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析

    刊名:发光学报 作者:井红旗 ; 仲莉 ; 倪羽茜 ; 张俊杰 ; 刘素平 ; 马骁宇 关键词:激光器 ; ANSYS热模拟 ; 热沉 ; 温度 机构:中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 ; 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 年份:2016
    摘要:高功率窄间距列阵叠层是提高激光二极管泵浦源光功率密度的有效途径,而封装散热热沉的结构设计在其热管理上占据至关重要的作用。本文利用ANSYS有限元分析方法,对叠层间距、绝缘陶瓷厚度以及陶瓷底面与散热恒温面距离等几个影响高功率密度激光二极管叠层封装散热的重要因素进行了分析,得到器件的最高温度随结构参数变化的规律,并对上述参数进行优化。最后,利用优化结果设计出一种适用于高功率密度激光二极管叠层泵浦源的高效有源散热热沉结构,大幅提高了器件的散热能力,并降低了所需冷却水的水泵功耗需求。
  • 【期刊】 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析  

    刊名:《发光学报》 作者:井红旗 ; 仲莉 ; 倪羽茜 ; 张俊杰 ; 刘素平 ; 马骁宇 关键词:激光器 ; ANSYS热模拟 ; 热沉 ; 温度 机构:中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 ; 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 年份:2016
    摘要:高功率窄间距列阵叠层是提高激光二极管泵浦源光功率密度的有效途径,而封装散热热沉的结构设计在其热管理上占据至关重要的作用。本文利用ANSYS有限元分析方法,对叠层间距、绝缘陶瓷厚度以及陶瓷底面与散热恒温面距离等几个影响高功率密度激光二极管叠层封装散热的重要因素进行了分析,得到器件的最高温度随结构参数变化的规律,并对上述参数进行优化。最后,利用优化结果设计出一种适用于高功率密度激光二极管叠层泵浦源的高效有源散热热沉结构,大幅提高了器件的散热能力,并降低了所需冷却水的水泵功耗需求。
  • 【期刊】 高密度二极三维直流电法超前探测研究

    刊名:煤炭技术 作者:殷国强 ; 翟培合 ; 秦鹏一 ; 赵冠宇 关键词:二极装置 ; 迭代正演实测 ; 综合静校正 机构:山东科技大学地球科学与工程学院 ; 山东科技大学地球科学与工程学院 年份:2017
    摘要:直流电阻率法以常规电极铺设为半径,全空间点电源呈三维球体排布,普遍应用于矿井超前探测含水异常体.选取精确适用的二极装置,采用WGMD-4高密度电法系统,集中式三维测量,沿巷道呈“(C)”形对称布设电极,选用圆滑约束最小二乘法对超前探测数据进行反演,辅之循环迭代正演实测比较,综合静校正技术修饰,三维可视化切片数据体,圈定低阻体大致所处范围,确保矿井含水异常体的精确判断.
  • 【专利】 超高亮度发光二极管

    作者:戴菁甫 ; 张君逸 ; 界晓菲 年份:2012
    摘要:本实用新型提供了一种超高亮度发光二极管,解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。一种超高亮度发光二极管,包括:导电基板,其具有两个主表面;反射层,形成于所述导电基板的第一主表面上;p-GaP窗口层,形成于所述反射层之上,其厚度小于或等2um;p型限制层,形成于所述p-GaP窗口层之上;发光层,形成于所述p型限制层之上;n型限制层,形成于所述发光层之上;n电极,形成于所述n型限制层之上;p电极,形成于所述导电基板的第二主表面上。
  • 【期刊】 1SS361LP3:超微型二极管

    刊名:世界电子元器件 关键词:开关二极管 ; 超微型 ; 封装 年份:2012
    摘要:Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V基纳二极管及开关二极管以0.6mm×0.3mm×0.3mm的规格供应。
  • 【专利】 一种户外高密度高对比度发光二极管

    作者:钟斌 年份:2015
    摘要:本实用新型公开了一种户外高密度高对比度发光二极管,包括密封胶封装体,在所述密封胶封装体连接有支架,所述支架与四个引脚对应连接,在所述支架表面设有碳素膜,在所述密封胶封装体的上部表面设有亚光层。本实用新型一种户外高密度高对比度发光二极管在密封胶封装体的上部表面设有亚光层,本实用新型在密封胶封装体做了亚光处理,亚光层是在传统在密封胶封装体的上部表面加入纳米级亚光粉得到的,经亚光处理的贴片发光二极管,当外界有光照射时,显示屏器件也不会有光反射,有效提高了显示屏的对比度,另外加入纳米级亚光粉的密封胶和支架的密着度也大大加固,提高的贴片发光二极管的防湿性能。
  • 【期刊】 Gen2 650V FREDPt:超快二极管

    刊名:世界电子元器件 关键词:二极管 ; 软恢复 ; 器件 年份:2013
    摘要:Vishay InlertechnoIogy推出11款新型Gen2650VFREDPt超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用,具有较怏的和软恢复的时间,以及低
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