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  • 【期刊】 做永立潮头的企业家——访地雅集团总裁张志利

    刊名:中国工商 作者:刘娴 关键词:集团 ; 总裁 ; 中国 ; 企业家 ; 事项 ; 投资 ; 非典 ; 战士 ; 避暑 ; 举办 年份:2003
    摘要:今年元月1日,地雅集团总裁张志利在人民大会堂召开新闻发布会,郑重宣布将投资河北乐亭.将海边滩头盐碱地建设成为中国的第一个避暑胜地,誓掘滩头荒地的第一桶金。5月28日乐事项目开工,地雅集团只举行了一个简单的开工典礼,而把用于举办典礼的5万元资金,全部捐献给战斗在乐亭抗非典一线的白衣战士。
  • 【专利】 一种基于竖轴倾斜的经纬仪水平角动态补偿方法

    作者:张志利 ; 赵晓枫 ; 王振业 ; 侯传勋 ; 蔡伟 ; 李洪才 年份:2017
    摘要:本发明公开了一种基于竖轴倾斜的经纬仪水平角动态补偿方法,包括:在平行于经纬仪横轴和与横轴垂直的水平方向分别安置两个电子水准器,将经纬仪的竖轴倾斜角度用经纬仪横轴方向和与横轴垂直的水平方向的倾斜角来表征,所述的横轴方向倾斜角和与横轴垂直的水平方向的倾斜角为相应方向上电子水准器的测量输出,以这两个方向的倾斜角作为矩阵元建立经纬仪竖轴倾斜时的初始矩阵,将经纬仪视准轴误差、横轴倾斜误差、实测水平角和垂直角作为矩阵元,经纬仪测角的旋转过程以相应的矩阵表示,得到经纬仪视准轴的空间矢量指向,最后得到有竖轴倾斜误差存在时,经纬仪水平角的真实测量模型。
  • 【专利】 一种高效环保的汽车零件加工数控铣床

    作者:张志利 年份:2016
    摘要:一种高效环保的汽车零件加工数控铣床,其特征在于:包括底座、挡板、滑轨、夹持装置、龙门架、滑块、滑块电机、铣刀、铣刀电机、收集管道、吹风口、滤网、防护罩、观察窗,采用斜面的设计,配合风机和收集管道可以做到残渣废料的自动回收,无需人为清理,节省了人力,加装了防护罩,可以将加工过程中产生的碎屑集中在一个区域内,不会发生残渣在吹风机作用下弥散开来的情况,减少了对周围环境的污染,保证了工作人员的身体健康,使用了连接滑道的夹持装置取代了之前可移动龙门架和固定装置,这样的设计可以避免了对龙门架移动结构的清理,而内部的元件通过风机即可进行简单的清理维护,水平和竖直方向同时定位工件,速度更快,加工效率更高。
  • 【专利】 用于给料机进料端的防丢失护罩

    作者:张志利 年份:2017
    摘要:本发明提供一种用于给料机进料端的防丢失护罩,包括连接件、盖板、提板、保护层、转轴、支杆、吸铁石、支撑板,所述连接件和进料端连接,所述进料端和连接件为安插连接,所述连接件上侧安装有盖板和支撑板,本发明为用于给料机进料端的防丢失护罩,使用时将本发明安装在进料口上侧,使用时不必将盖板拿开,只需将其移动并和吸铁石相固定即可,避免了盖板丢失的情况发生。本发明有盖板分为可懂盖板和固定盖板,进料时,将移动盖板打开,吸铁石将移动盖板吸附住,便于工作人员进行工作,加料完毕后,将移动盖板关闭,避免加工设备内的粉尘进入空气,避免空气污染,减少了工作人员吸收空室内的粉尘,为工作人员身体健康提供了保障。
  • 【专利】 一种安全生产型汽车金属覆件冲压机

    作者:张志利 年份:2017
    摘要:本实用新型公开了一种安全生产型汽车金属覆件冲压机,包括机身,机身的一侧设置有电动机,电动机的外部设置有电动机防护罩,电动机防护罩的内部设置有温度传感器,电动机的一侧设置有传动轮,传动轮防的一侧设置有控制面板,控制面板的底部设置有上模座,上模座的一侧设置有滑块,滑块的底部设置有下模座,下模座的底部设置有工作台面,工作台面的内部设置有压力传感器,工作台面的底部设置有底座,底座的底部设置有滚动杆,滚动杆的一侧设置有固定件,固定件的一侧设置有固定轴,温度感应器,可在电动机工作异常时发出警报,压力传感器可感应压力是否超出临界值,一旦超过,自动切断总电源,冲压机底部设置的滚动杆,方便冲压机的转移。
  • 【专利】 一种用于汽车零件加工的安全型激光焊接机

    作者:张志利 年份:2016
    摘要:本实用新型公开了一种用于汽车零件加工的安全型激光焊接机,包括激光器装置外机壳,防辐射玻璃箱的内部设置有第二滑轮底座,激光焊接头活动底座的顶部置有激光焊接头,第一滑轮底座与激光焊接头活动底座通过可升降滑轮轴连接,第三滑轮槽的内部设置有滑轮,滑轮的顶部设置有激光焊接头固定环,防辐射玻璃箱的顶部设置有防辐射眼镜,手放置在防辐射玻璃箱的手臂放置槽内,第二滑轮槽和第一滑轮槽上分别利用可升降滑轮轴可以前后、左右滑动,滑轮通过压力传感器的感应,将激光焊接头固定环上下移动后,找到准确的焊接位置,防辐射眼镜通过旋转升降轴的旋转升降功能调到合适的位置,在焊接避免眼睛受到激光的辐射。
  • 【专利】 海洋地震勘探仪数字包信息采集时间同步装置

    作者:张志利 ; 涂本良 ; 万钧 ; 窦红兵 ; 王敏 ; 王鹏 ; 范其明 ; 王滦平 年份:2015
    摘要:本实用新型涉及海洋地震勘探设备技术领域,尤其涉及一种海洋地震勘探仪数字包信息采集时间同步装置,包括时间指令基准单元以及若干个时钟同步控制单元,所述时间指令基准单元与所述时钟同步控制单元之间以及相邻的时钟同步控制单元之间通过时间指令线和回传指令线信号连接。所有数字包内的时钟同步控制单元接收时间指令基准单元发送的时间信息,并从该信息中恢复出本级数字包的工作时钟,保证了工作时钟的同源性,消除了各个数字包工作时钟的频差。
  • 【专利】 一种杯口基础钢柱安装标高控制结构

    作者:张志利 ; 祝建明 ; 董新红 ; 段常智 ; 卢青林 ; 杨春来 年份:2015
    摘要:本实用新型公开了一种杯口基础钢柱安装标高控制结构,包括杯口基础和钢柱,在钢柱底板的四个角处分别设有调节螺栓过孔,与调节螺栓相配的螺帽焊接在调节螺栓过孔外的钢柱底板的下表面上,四个套管的下端设有与所述调节螺栓端头六方体相配的六方孔,在四个调节螺栓与杯口基础的底面之间分别设有调节螺栓垫板。本实用新型具有标高精度高,调整方便快捷和施工时间短的优点。
  • 【会议】 热式质量流量计中MEMS悬臂梁开关的研究

    作者:张志利 ; 吴元庆 ; 王鹏 ; 郭卉 ; 李益敏 ; 李艳 关键词:热式质量流量计 ; 悬臂梁 ; 制备工艺 ; 设备能耗 机构:天津中德职业技术学院,天津300350 ; 天津中德职业技术学院,天津300350 ; 渤海大学新能源学院,辽宁锦州121032 年份:2015
    摘要:为了降低热式质量流量计的功耗,延长供电电池的使用寿命.设计基于悬臂梁的热式质量流量计开关,将其置于气流通道的前端,用于控制流量计电路的通断.对悬臂梁的制作工艺进行了设计,采用纳米压印的方法制备悬臂梁,并对悬臂梁的效果进行仿真和验证,结果证明此结构对降低功耗起到重要作用,具有广泛的应用价值.
  • 【专利】 基于FPGA实现的多路光模块信息采集电路

    作者:张志利 ; 曹鹏飞 ; 马晓明 年份:2017
    摘要:本实用新型涉及光通讯技术领域,尤其涉及一种基于FPGA实现的多路光模块信息采集电路,电路包括晶振、FPGA、以太网PHY芯片、以太网光模块、2:1/1:2LVDS Mux/缓冲器芯片、线路光模块、上位机;所述FPGA芯片通过I2C接口与线路光模块连接;所述FPGA芯片与2:1/1:2LVDS Mux/缓冲器芯片通过高速串口连接;所述2:1/1:2LVDS Mux/缓冲器芯片通过PHY芯片或光模块与上位机的电口或光口连接;所述FPGA芯片通过串行232接口与上位机相连。本实用新型利用FPGA简化结构,节省成本。
  • 【期刊】 一种近地背景下红外弱小目标检测预处理算法

    刊名:《红外技术》 作者:张志利 ; 杨元庆 ; 侯传勋 关键词:弱小目标检测 ; 红外图像预处理 ; 暗通道去雾 ; 非局部均值滤波 机构:火箭军工程大学 ; 火箭军工程大学 年份:2018
    摘要:构建了近地背景下的小目标图像模型,提出了一种基于暗图像处理和改进非局部均值滤波的红外图像预处理算法。采用图像去雾思想,将红外图像类比为有雾图像,通过暗通道去雾方法实现近地背景抑制,并引入相似度权值阈值改进双边NLM(Non-Local Means)算法,减少邻域内相似度权值较低的像素点对灰度值估计的影响,得到预处理后的红外图像。实验表明,对于近地背景下红外弱小目标检测,该算法能够有效抑制背景,增强目标与背景对比度,提高红外图像预处理性能。
  • 【期刊】 标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件

    刊名:半导体技术 作者:张志利 ; 李淑萍 ; 付凯 ; 于国浩 ; 蔡勇 ; 张宝顺 关键词:氮化镓 ; 增强型 ; 高电子迁移率晶体管(HEMT) ; 离子注入 ; 能量吸收层 机构:苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院 ; 苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院 ; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 年份:2017
    摘要:介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断地正向移动,但由于存在高能F离子的注入损伤,器件的正向栅极漏电随着注入剂量的增加而不断上升,阈值电压正向移动也趋于饱和。因此,提出采用在AlGaN/GaN异质结表面沉积栅介质充当能量吸收层,降低离子注入过程中的损伤,成功实现了阈值电压为+3.3 V,饱和电流密度约为200 mA/mm,同时具有一个较高的开关比109的增强型金属-绝缘层-半导体HEMT(MIS-HEMT)器件。
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