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  • 【期刊】 一种用于无源RFID的新型低压低功耗振荡器

    刊名:湖南大学学报(自然科学版) 作者:陈迪平 ; 杨翠灵 ; 董刚 ; 秦鹏举 ; 曾健平 关键词:低功耗 ; 振荡器 ; 射频识别 ; 低电压 机构:湖南大学物理与微电子科学学院 ; 湖南大学物理与微电子科学学院 ; 湖南融创微电子有限公司 年份:2019
    摘要:采用中芯国际180 nm混合信号工艺,设计了一种新型低压低功耗环形振荡器.基于反馈理论,采用放大器完成从电源电压到环振工作电压的降压稳压转换,实现环振工作电压稳定性优化,同时降低其功耗;环振输出经幅度变换电路,实现高摆幅振荡信号输出;振荡器工作频率电流受控,抑制了电源噪声,降低了电源电压波动对输出频率的影响.结果表明,1 V电源电压下,输出频率2.737 MHz,功耗约0.8μW,1 MHz频点处相位噪声-108.7 dB;0.9~2.1 V电压范围内,输出频率波动小于0.23%,适于无源芯片设计.
  • 【期刊】 一种低工艺偏差的低功耗基准电流源

    刊名:微电子学 作者:杨慧明 ; 王耀 ; 范文兵 关键词:低功耗 ; 基准电流源 ; 阀值电压 ; 工艺偏差 机构:郑州大学信息工程学院 ; 郑州大学信息工程学院 年份:2019
    摘要:基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源。利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响。采用0.18μm CMOS工艺对电路进行设计与仿真。结果表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1~4.0 V。在1.2 V电源电压下,基准电流为23.06 nA。在-40℃~85℃范围内,温度系数为9×10~(-5)/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4%。
  • 【期刊】 一种低电压超低功耗动态锁存比较器

    刊名:微电子学 作者:张章;丁婧;金永亮;解光军; 关键词:比较器;;衬底偏压技术;;低电压;;阈值电压 机构:合肥工业大学电子科学与应用物理学院 ; 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 年份:2017
    摘要:提出了一种低电压超低功耗动态锁存比较器。采用了自适应双重衬底偏压技术,在适当时间将比较器进行顺向衬底偏压与零衬底偏压的切换,以取得功耗延时积(PDP)的优势最大化。为解决比较器不工作时静态功耗较大的问题,提出了一种关断结构。该比较器基于SMIC 180nm CMOS工艺,在400mV电源电压下进行了前仿真。前仿真结果表明,电路的平均功耗、响应时间、功耗延时积均显著下降。在时钟频率为14.7 MHz时,响应时间为34ns,功耗为123nW。
  • 【期刊】 一种低温漂低功耗带隙基准的设计

    刊名:电子元件与材料 作者:唐宇 ; 冯全源 关键词:低功耗 ; 带隙基准 ; 电流源 ; 低温漂 ; 温度系数 ; 仿真 机构:西南交通大学微电子研究所 ; 西南交通大学微电子研究所 年份:2014
    摘要:基于UMC 0.25μm BCD工艺,设计了一个低温漂低功耗的基准源。针对传统放大器反馈结构带隙基准中运放输入失调较大以及输出阻抗较高的问题,通过改进电路将这两者降低,产生低温漂的基准电压;结合基准核心电路产生的负温度系数电压和多晶电阻的负温度系数特性,利用简单的电路实现基准电流源。仿真结果表明,在–40~+125℃,基准电压温度系数为15×10–6/℃,基准电流为1.02μA,低频时电路电源抑制比为–84 dB,整体静态电流仅为12.8μA。
  • 【期刊】 一种新型低功耗抗软错误锁存器

    刊名:电子与信息学报 作者:张章 ; 周宇澄 ; 刘俊丞 ; 程心 ; 解光军 关键词:锁存器 ; 软错误 ; C单元 ; 自恢复 机构:合肥工业大学电子科学应用物理学院 ; 合肥工业大学电子科学应用物理学院 年份:2017
    摘要:该文提出一种新型的C单元的连接方法,将距离输出节点比较远的P型和N型晶体管的栅端与C单元的输出节点相连接,利用晶体管自身的反馈机制形成反馈路径,实现了自恢复功能,因此大幅降低动态消耗和硬件开销;采用点加强型C单元作为输出级电路并进行优化,使得电路抵御单粒子翻转的能力更强;基于上述改进,搭建出一个新的抗软错误锁存器,将输入信号经过传输门以后接传到输出端,以降低输入信号传到输出节点的延迟,利用节点之间的反馈比较机制进一步提升各个电路节点的临界电荷量。在22 nm的先进工艺下进行仿真,实验结果表明,提出的新型锁存器电路不仅具有优秀的抗软错误能力,并且在功耗延迟积方面比现有的锁存器电路性能提升了26.74%~97.50%。
  • 【期刊】 极地多点低温低功耗高精度柔性温度链的设计

    刊名:传感技术学报 作者:章恒 ; 窦银科 ; 马春燕 ; 左广宇 ; 杨望笑 ; 张虎啸 ; 王煜尘 关键词:低温 ; 温度链 ; 多机通讯 ; 铂电阻 机构:太原理工大学电气与动力工程学院 ; 太原理工大学电气与动力工程学院 年份:2019
    摘要:为有效提高极地冰盖低温环境下温度测量的精度,设计了一款基于Pt1000的多点低温低功耗高精度铂电阻柔性温度链。温度链由主机和多个从机组成,主机用于读取整条温度链的数据并与外界进行数据交互,从机用于采集和上传温度数据,主机和从机之间采用RS485总线通讯方式。每个单点铂电阻温度测量单元都采用软件校正,单点测温误差不超过0.006 9℃。室内低温实验和现场试验表明,该温度链对低温环境下多点同时测温整体可靠性较高,适用于在极地环境下对冰川冰雪的温度场剖面检测。
  • 【期刊】 一种4阶曲率补偿低温漂低功耗带隙基准源

    刊名:微电子学 作者:谭玉麟 ; 冯全源 关键词:低功耗 ; 带隙基准 ; 曲率补偿 ; 低温漂 机构:西南交通大学微电子研究所 ; 西南交通大学微电子研究所 年份:2016
    摘要:基于UMC 0.25μm BCD工艺,设计了一种4阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。通过设置正负温度系数相异的电阻的比值,抵消了三极管发射极-基极电压泰勒级数展开后的高阶项,实现了4阶曲率补偿。经过Hspice仿真验证,基准输出电压为1.196V,-40℃~150℃温度范围内温度系数达到1.43×10-6/℃;低频时电源抑制比为-70.8dB,供电电压在1.7~5V变化时,基准输出电压的线性调整率为0.039%,整体静态电流仅为9.8μA。
  • 【期刊】 一种高速低功耗双电流锁存比较器

    刊名:微电子学 作者:唐小丽 ; 段吉海 ; 徐卫林 ; 向指航 关键词:低功耗 ; 双电流 ; 锁存比较器 ; 高速 ; 延迟时间 机构:广西精密导航技术与应用重点实验室 ; 广西精密导航技术与应用重点实验室 年份:2017
    摘要:提出了一种应用于低电源电压的改进型高速超低功耗双电流动态锁存比较器。在不增加电路复杂度的情况下,通过在传统双电流动态比较器中增加一条额外的放电途径,使得比较器能够快速地从复位状态进入到再生阶段,缩短了整个过程的延迟时间,更重要的是扩宽了输入共模范围,同时降低了延迟时间对共模输入电压的依赖性。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在时钟频率为1GHz,输入电压差为5mV时,延迟时间为294ps,功耗仅为52μW。
  • 【期刊】 一种低功耗带隙基准电压源的设计

    刊名:电子与封装 作者:胡成煜 ; 顾益俊 ; 李富华 关键词:低功耗 ; 带隙基准 ; 亚阈值 ; 无运放 ; 温度系数 机构:苏州大学 ; 苏州大学 年份:2017
    摘要:设计了一种工作在亚阈值区无运放结构的CMOS带隙基准电压电路.通过使用线性区工作的MOS管取代传统电阻,使电路工作在亚阈值区,结合无运放设计,极大地降低了功耗.采用0.35 μmCMOS工艺,在室温27℃、工作电压3V的条件下进行仿真,输出基准电压1.2086 V,偏差在4 mV内,工作电流仅为1.595 μA,功耗仅为4.785 μW.在-50℃到120℃的温度范围内温度系数为17.3×10-6/℃.该带隙基准电压电路具有低功耗、宽温度范围、面积小等特点.
  • 【期刊】 一种用于标签芯片的低压低功耗参考电源设计

    刊名:计算机与数字工程 作者:熊立志 关键词:参考电源 ; 低压低功耗 ; RFID 机构:深圳市远望谷信息技术股份有限公司 ; 深圳市远望谷信息技术股份有限公司 年份:2016
    摘要:射频识别(Radio Frequence Identification,RFID)无源电子标签芯片需要一种能低压,低功耗,面积小,电源抑制比较高的参考电源。常规带隙参考电路不能满足要求。论文引入一种利用MOS管电子迁移率与阈值互补特性的参考源电路,并引入低压套筒式共源共栅电流源电路,使得论文所提出的电压参考源电路具有低压低功耗,小面积及高电源抑制比的特性。仿真及流片结果均表明所设计电路满足RFID无源标签芯片的要求。
  • 【期刊】 低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计

    刊名:华中科技大学学报(自然科学版) 作者:陈黎明 ; 陈铖颖 ; 袁甲 ; 杨骏 关键词:人工耳蜗 ; 低电压 ; 超低功耗 ; 统计静态时序分析 ; 超大规模集成电路(VLSI) 机构:厦门理工学院光电与通信工程学院 ; 厦门理工学院光电与通信工程学院 ; 中国科学院微电子研究所 年份:2017
    摘要:基于台积电TSMC 0.35μm 3.3 V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3 V降至2.0 V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%.
  • 【期刊】 低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计

    刊名:华中科技大学学报:自然科学版 作者:陈黎明[1] ; 陈铖颖[1] ; 袁甲[2] ; 杨骏[2] 关键词:人工耳蜗 低电压 超低功耗 统计静态时序分析 超大规模集成电路(VLSI) 机构:厦门理工学院光电与通信工程学院 ; 厦门理工学院光电与通信工程学院 年份:2017
    摘要:基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3V降至2.0V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%.
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