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  • 【专利】 一种低硼型高纯工业硅的制备方法

    摘要:本发明涉及一种低硼型高纯工业硅的制备方法,属于硅提纯技术领域。将工业硅块粉碎细磨后、筛分、水洗、烘干得到工业硅粉;将得到的工业硅粉用一步或两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法进行预处理,预处理完成后用洗涤剂清洗掉工业硅粉表面的金属纳米粒子,过滤分离、烘干得到多孔硅粉;将多孔硅粉进行退火处理;将退火后多孔硅粉进行酸洗处理,浸出完成后进行过滤、洗涤、烘干制备得到低硼型高纯工业硅。本方法金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)法得到的多孔硅粉进行退火吸杂,使内部的杂质再次析出暴露,再通过用加入硼的络合物配体的酸性溶液进行酸洗来达到工业硅料中杂质深度脱除的目的。
  • 【专利】 一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法

    摘要:本发明涉及一种利用热等离子法制备球形纳米硅的方法,属于硅冶金及材料制备技术领域。先将工业级气体或混合气通入等离子体发生器,引弧得到热等离子体,将微米级含硅粉料通过载气进入热等离子高温区域得到气态硅原子及其他气态粒子,气态硅原子及其他气态粒子在急速冷却过程中得到纳米颗粒尺寸为1~100nm球形形貌纳米硅,其中微米级含硅粉料为微米级硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉或碳化硅粉。本方法采用硅粉、氧化硅粉、氮化硅粉、碳化硅粉含硅粉料作为原料,相较现有技术中以成本较高的硅烷为主要含硅原料,本发明所用原料成本更低、工艺安全性更高等优势。
  • 【专利】 一种硅切割废料的回收与提纯方法

    摘要:本发明涉及一种硅切割废料的回收与提纯方法,属于硅材料的二次资源循环利用的技术领域。本发明将硅锭切割过程产生的硅废浆料进行固液分离并烘干得到固态硅废料;将CaO、SiO2、助熔剂混合均匀得到造渣剂;将造渣剂与固态硅废料混合均匀,并置于中频感应炉中,抽真空然后通入氩气,在氩气氛围条件下加热至温度为1450~1700℃,恒温熔炼0.5~4h,随炉冷却得到熔块;采用金刚石线切割法将熔块的硅渣分离即得高纯硅。本发明利用全火法流程对硅切割废料进行感应炉造渣精炼处理,将分离与提纯放在同一个操作步骤中,实现了硅锭切割过程中含硅废料的综合回收与提纯处理,具有生产能力大、综合回收率高的特点,变废为宝,可降低太阳能发电成本,有利于太阳能技术的推广。
  • 【专利】 一种真空强化高硫石油焦脱硫的方法

    摘要:本发明涉及一种真空强化高硫石油焦脱硫的方法,属于真空冶金技术领域。首先将石油焦研磨筛分至粒度45~450μm,控制厚度为10~100mm,在真空度为10‑3Pa~100Pa条件下,以10~50°C/min的升温速率升温到1000~1600°C保温10~90min,石油焦脱硫率达到70%以上,同时在顶部的冷凝设备中收集到纯度90%以上的单质硫。该方法能达到较高脱硫率的同时,不外加添加剂保证石油焦的较低灰分含量,也保证了石油焦脱硫后具有较高的回收率,在此过程中还能得到单质硫,解决了因多数石油焦脱硫方法产生大量不利于收集的SO2有害气体。
  • 【专利】 一种工业硅硅灰制备高纯纳米硅颗粒的方法

    摘要:本发明涉及一种工业硅硅灰制备高纯纳米硅颗粒的方法,属于资源综合利用和纳米硅颗粒制备技术领域。首先将捕集到的工业硅硅灰进行表面清洗,去除硅灰表面附着物后干燥;然后高能球磨获得粒度为1000nm纳米硅颗粒;将粒度为1000nm纳米硅颗粒湿法处理2~12h,湿法处理完成后清洗、干燥;将纳米硅颗粒超细磨10~60h得到100nm纳米硅颗粒;将得到的100nm纳米硅颗粒二次湿法处理h,最终经清洗、干燥后得到高纯纳米硅颗粒。本发明为工业硅破碎过程中产生硅灰的高附加值利用提供了有效的途径。
  • 【专利】 一种用高硫铝土矿生产氧化铝的除硫方法

    摘要:本发明涉及一种用高硫铝土矿生产氧化铝的除硫方法,属于环保和冶金技术领域。高硫铝土矿生产氧化铝过程中在料浆中加入还原剂除硫,其中还原剂为活性炭、铝、铁、锌中的一种或者任意比例混合物。本发明不仅可以将溶液中各种形态的变价硫(S2‑、S2O32‑、SO32‑、SO42‑)去除,而且除硫效率高;同时还可以消除硫对加热器壁腐蚀可能会带来严重安全隐患的弊端。
  • 【专利】 一种使用熔盐电化学法从废ITO粉中回收粗铟的方法

    摘要:本发明涉及一种使用熔盐电化学法从废ITO粉中回收粗铟的方法,属于熔盐电化学技术领域。向废ITO粉中加入5wt%聚乙烯醇溶液然后搅拌混合均匀,压制成直径10~15mm的圆片状物料;将圆片状物料室温干燥,烧结4h得到烧结物料;在完全氩气气氛下,将电解质熔化,熔化电解质层顶部放置液态金属阴极,将烧结物料放入到熔化电解质层中,熔化电解质上插入石墨阳极,在电解电压为3V、电流密度为0.8~1.0 A/cm2条件下电解4h,在液态金属阴极内部得到铟锡合金。本发明根据据ITO粉与电解质分解电压的差异,使用熔盐电解的方法直接电解废ITO粉回收粗铟。
  • 【专利】 一种利用含钛高炉渣进行硅提纯及制备钛白的方法

    作者:伍继君 ; 雷云 ; 马文会 ; 谢克强 ; 魏奎先 ; 秦博 ; 李绍元 ; 杨斌 年份:2017
    摘要:本发明公开一种利用含钛高炉渣进行硅提纯及制备钛白的方法,先将含钛高炉渣、硅物料和添加剂一起熔炼,保温一段时间后以一定的冷却速度冷却至室温并将凝固后的渣和硅分离;将得到的硅研磨成粉状,然后酸洗使硅粉中的钛进入酸溶液,并经过滤后得到含钛酸溶液和硅粉;硅粉经再次酸洗后得到纯度大于99.99%的纯硅;往含钛酸溶液中添加碱得到含钛沉淀物,含钛沉淀物经过干燥、煅烧、还原和磁选除铁后得到钛白。熔炼后产生的残渣由于对环境无害可以丢弃。本发明不仅是一种低成本、高效且环境友好的硅提纯技术,也是一种利用含钛高炉渣制备钛白的新技术,可以同时达到提纯硅和制备钛白的双重目的,为复杂含钛高炉渣资源的经济利用提供新路径。
  • 【会议】 硅酸钙基熔渣精炼去除冶金级硅中杂质硼的研究

    作者:伍继君 ; 马文会 ; 戴永年 年份:2014
    摘要:近年来,冶金法太阳能级多晶硅制备技术成为全球光伏产业研究热点,并有望取代传统的化学法成为太阳能电池硅基材料的主流制备技术,它主要由炉外精炼、湿法浸出、炉外精炼、真空精炼、定向凝固等技术组合而成。杂质硼去除是冶金法多晶硅技术的重点和难点,熔渣精炼鉴炼了炼钢过程渣对钢液的净化作用的原理,是一种有效去除杂质硼的方法。
  • 【专利】 一种多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法

    摘要:本发明提供一种多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法,经硅片的预处理、腐蚀液的配制、电化学腐蚀得到多孔硅、清洗多孔硅片、表面氧化处理、巯基嫁接、镉离子螯合、CdS量子点的形成,得到多孔硅基CdS量子点复合材料。所得多孔硅基CdS量子点复合材料的激发光源波长在300~400nm之间,复合材料发光的范围属于可见光期间350~700nm之间,发光形式为荧光发光和光致冷发光两种。本发明涉采用阳极腐蚀法制备多孔硅,并在多孔硅表面嫁接对镉离子具有螯合功能的官能团,在含硫气氛中将镉离子作用生成CdS量子点以制备出具有发光特性的孔硅基/CdS量子点复合材料。
  • 【专利】 金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法

    摘要:本发明提供一种金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法,属于半导体材料技术领域。将硅片预处理,再进行表面氧化处理,然后置于腐蚀液中静置,随后将其置于硝酸溶液中浸泡,再用大量去离子水冲洗后以氮气吹干,即得到介孔硅纳米线。与一般致密硅纳米相比,本发明制备得到的介孔硅纳米线中含有大量直径分布在2~50nm的小孔,且介孔硅纳米线保持一定的单晶特性;这使其具有更巨大的比表面积且表现一些独特的光学、电学特性,这使得介孔硅纳米线在纳米传感器、光学器件、纳米催化等领域中展现出巨大的运用前景。
  • 【专利】 一种带液压倾倒装置的工业硅炉外精炼抬包

    作者:伍继君 ; 魏奎先 ; 马文会 ; 王统 ; 谢克强 ; 周阳 ; 杨斌 ; 刘大春 ; 戴永年 年份:2013
    摘要:本实用新型提供一种带液压倾倒装置的工业硅炉外精炼抬包,属工业硅技术设备领域。包括包体、耳轴、抬包支撑架和液压倾倒装置,所述液压倾倒装置包括曲拐、液压杆和液压缸,耳轴焊接在包体外壁上且与抬包支撑架连接,曲拐一端固定在耳轴上,另一端与液压杆、液压缸连接。采用该装置,倾倒抬包的操作更加简单方便,能实现抬包的精确倾倒,同时减少操作岗位,降低生产成本。本实用新型结构简单、使用方便。
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